Инвентаризация:2466

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 102A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 510W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 220 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2943 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4

Инвентаризация: 1209

Top