Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-4
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 157A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 100A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 567W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 50mA
• Пакет устройств поставщика TO-247-4
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
• ВГС (Макс) +22V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 288 nC @ 15 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9335 pF @ 800 V