Инвентаризация:2578

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 12V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 789W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 234 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8512 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4

Инвентаризация: 1209

750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE

Инвентаризация: 558

Top