Инвентаризация:2058

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 106A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 70A, 12V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 375W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3340 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


CURRENT TRANSDUCER INTGRATED PRI

Инвентаризация: 15439

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4

Инвентаризация: 2035

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

Инвентаризация: 1040

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 762

750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 1108

750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE

Инвентаризация: 850

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top