Инвентаризация:2207

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 145A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 75A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 25mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 283 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4689 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 1590

SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Инвентаризация: 66

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top