Инвентаризация:3065

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.6A (Ta), 98A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 468W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 220 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2943 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

Инвентаризация: 1035

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 795

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

Инвентаризация: 424

Top