Инвентаризация:2295

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 40A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 234W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 148 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3200 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 41

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 626

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

Инвентаризация: 424

SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

Top