Инвентаризация:1541

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 87mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 160W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 7mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 795

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top