Инвентаризация:1997

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 54A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 231W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 5968

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Инвентаризация: 51

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 444

SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 41

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

Top