Инвентаризация:1883

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 54A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 231W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +18V, -3V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 28

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 364

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 365

Top