Инвентаризация:1864

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 56mOhm @ 35A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 319W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 106 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1762 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247

Инвентаризация: 250

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 336

1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1501

Top