Инвентаризация:1672

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 52A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 46mOhm @ 25A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 228W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-41
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +23V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 59 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2130 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 967

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

Инвентаризация: 229

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top