Инвентаризация:1672

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 104mOhm @ 13A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 5.6mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-41
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1060 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 967

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

Инвентаризация: 229

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 0

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 382

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Инвентаризация: 1266

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 526

Top