Инвентаризация:1882

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 32A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 145W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1480 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3

Инвентаризация: 1283

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3

Инвентаризация: 992

75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 650

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

Инвентаризация: 236

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3

Инвентаризация: 365

Top