Инвентаризация:2238

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 56mOhm @ 35A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 348W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 106 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1781 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


TRANS NPN 80V 1A SOT89

Инвентаризация: 24072

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L

Инвентаризация: 61

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3

Инвентаризация: 403

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 413

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 282

1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1501

Top