Инвентаризация:1561

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 322W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 118 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3192 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 444

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

Top