Инвентаризация:1528

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 268W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 6.4mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-11
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1264 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

Top