Инвентаризация:1816

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 57A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 53mOhm @ 31.9A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 242W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 8.77mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 94 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2726 pF @ 1000 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 770

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 382

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

Top