Инвентаризация:2270

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 53mOhm @ 31.9A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 294W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 8.77mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 91 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2726 pF @ 1000 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 775

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 650

Top