Инвентаризация:1865

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 165W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 785 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

Инвентаризация: 88

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 107

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L

Инвентаризация: 510

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

Инвентаризация: 338

Top