- Модель продукта IMYH200R012M1HXKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SIC DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1682
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 123A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 60A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 552W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 48mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U04
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +20V, -7V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 246 nC @ 18 V