Инвентаризация:1682

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 123A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 552W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 48mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U04
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 246 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


SIC 1700V 320A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247

Инвентаризация: 1782

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268

Инвентаризация: 25

PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C

Инвентаризация: 1

Top