Инвентаризация:1679

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 48A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 64mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 348W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 12.1mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U04
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247

Инвентаризация: 1782

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 444

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top