Инвентаризация:1615

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 89A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 33mOhm @ 40A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 576W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 24mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U04
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 137 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

Инвентаризация: 5923

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

SIC 1700V 310A

Инвентаризация: 5

Top