- Модель продукта G3R20MT17K
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 124A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 75A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 809W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 15mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-4
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) ±15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 400 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10187 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Инвентаризация: 639
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Инвентаризация: 0
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Инвентаризация: 158
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Инвентаризация: 704
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 182
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Инвентаризация: 246
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Инвентаризация: 425
