- Модель продукта G2R50MT33K
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 536W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 10mA (Typ)
- Пакет устройств поставщика TO-247-4
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
- ВГС (Макс) +25V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 3300 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 340 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7301 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Инвентаризация: 3466
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Инвентаризация: 639
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Инвентаризация: 1299
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 274
IGBT 3000V 80A 400W TO247
Инвентаризация: 370
MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Инвентаризация: 2
