- Модель продукта G2R120MT33J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 156mOhm @ 20A, 20V
- Пакет устройств поставщика TO-263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
- ВГС (Макс) +25V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 3300 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 145 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3706 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Инвентаризация: 19824
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Инвентаризация: 3466
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Инвентаризация: 0
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Инвентаризация: 1044
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 5968
IGBT 3600V 70A TO247HV
Инвентаризация: 1059
MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Инвентаризация: 2
