- Модель продукта G3R75MT12J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 20A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 196W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 10mA
- Пакет устройств поставщика TO-263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 47 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1545 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Инвентаризация: 1059
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 4800
1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 1148
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 770
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Инвентаризация: 1432
1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 690
IGBT PT 1200V 175A TO268HV
Инвентаризация: 52
SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Инвентаризация: 497
