- Модель продукта G3R40MT12J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2190
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 66A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 35A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 330W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 18mA
- Пакет устройств поставщика TO-263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 88 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2897 pF @ 800 V