- Модель продукта G3R30MT12J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 85A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 45A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 408W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 24mA
- Пакет устройств поставщика TO-263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 118 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3863 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Инвентаризация: 5562
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 4800
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Инвентаризация: 18
1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 690
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 5968
SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Инвентаризация: 34
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Инвентаризация: 759
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Инвентаризация: 4919
