Инвентаризация:6300

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 724 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS

Инвентаризация: 620

SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3

Инвентаризация: 3704

1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 1148

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Инвентаризация: 3651

Top