Инвентаризация:2120

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 44W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 2mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +20V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 139 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK

Инвентаризация: 453

1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF

Инвентаризация: 4800

1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF

Инвентаризация: 2050

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Инвентаризация: 0

Top