- Модель продукта G3R160MT17J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 224mOhm @ 10A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 145W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика TO-263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) +15V, -5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 854 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Инвентаризация: 620
SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Инвентаризация: 0
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 510
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Инвентаризация: 704
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 5968
SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Инвентаризация: 7355
