Технические детали

• Пакет/кейс TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 940mOhm @ 2.5A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 63W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.25V @ 100µA (Typ)
• Пакет устройств поставщика D2PAK-7
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
• ВГС (Макс) +23V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 20 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 184 pF @ 1000 V