Инвентаризация:2259

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 179W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1154 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF

Инвентаризация: 1888

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 626

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

Top