Инвентаризация:1534

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 182W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика D3PAK
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 838 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 1148

SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK

Инвентаризация: 132

MOSFET N-CH 700V D3PAK

Инвентаризация: 48

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3

Инвентаризация: 104

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 759

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

Top