Технические детали

• Пакет/кейс TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 44mOhm @ 30A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 206W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика D3PAK
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
• ВГС (Макс) +23V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 99 nC @ 20 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2010 pF @ 700 V