Технические детали

• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 88A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 40A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 278W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 4.5mA (Typ)
• Пакет устройств поставщика SOT-227
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
• ВГС (Макс) +23V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 249 nC @ 20 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5280 pF @ 1000 V