Инвентаризация:2932

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 75A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 48mOhm @ 35A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 374W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 18mA (Typ)
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) ±15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 106 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2929 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 40 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 637

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Инвентаризация: 18

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7

Инвентаризация: 2

1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 5968

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 1985

Top