- Модель продукта EPC2111
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:21324
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика Die
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Инвентаризация: 153697
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Инвентаризация: 38612
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Инвентаризация: 8591
