Инвентаризация:10091

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 500mA, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 52 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 52011

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 28263

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

Инвентаризация: 7929

GANFET N-CH 65V 2A DIE

Инвентаризация: 52737

GANFET N-CH 65V 4A DIE

Инвентаризация: 9793

Top