- Модель продукта EPC8009
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 65V 4A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 65 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 52 pF @ 32.5 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Инвентаризация: 533
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 72544
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Инвентаризация: 19824
GANFET N-CH 65V 2A DIE
Инвентаризация: 52737
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Инвентаризация: 8591
GANFET N-CH 100V 4A DIE
Инвентаризация: 8416
