- Модель продукта EPC8002
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 65V 2A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 530mOhm @ 500mA, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 65 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 21 pF @ 32.5 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 28263
GANFET N-CH 100V 16A DIE
Инвентаризация: 35335
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Инвентаризация: 5402
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Инвентаризация: 25981
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Инвентаризация: 8591
GANFET N-CH 65V 4A DIE
Инвентаризация: 9793
