Инвентаризация:29763

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.7A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 550mOhm @ 100mA, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 80µA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.12 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

GANFET N-CH 60V 1.7A DIE

Инвентаризация: 40896

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 24334

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

Инвентаризация: 18274

GANFET N-CH 65V 4A DIE

Инвентаризация: 9793

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 14164

Top