Инвентаризация:15664

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 65W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2940pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 30µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 28263

Top