Инвентаризация:40112

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 1.5A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 15 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.1 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 118 pF @ 7.5 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 52011

GANFET N-CH 30V 60A DIE

Инвентаризация: 5637

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 24334

GANFET NCH 15V 3.4A DIE

Инвентаризация: 82513

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

Инвентаризация: 19824

GANFET N-CH 100V 18A DIE

Инвентаризация: 153697

GANFET N-CH 40V 4A DIE

Инвентаризация: 8591

Top