Инвентаризация:84013

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 1.5A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 15 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.93 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 105 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 52011

GANFET N-CH 60V 1.7A DIE

Инвентаризация: 40896

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 24334

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 28263

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA

Инвентаризация: 3921

GANFET N-CH 15V 3.4A DIE

Инвентаризация: 38612

GANFET N-CH 40V 4A DIE

Инвентаризация: 8591

Top