Инвентаризация:1774

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 98mOhm @ 13A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 267W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 7.7mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U04
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4

Инвентаризация: 232

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top