Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 131mOhm @ 10A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 217W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 6mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U04
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

Инвентаризация: 1902

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-

Инвентаризация: 246

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top