- Модель продукта G3R20MT17N
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-227-4, miniBLOC
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 75A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 523W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 15mA
- Пакет устройств поставщика SOT-227
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) ±15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 400 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10187 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Инвентаризация: 0
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Инвентаризация: 1085
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Инвентаризация: 232
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B
Инвентаризация: 2
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Инвентаризация: 34
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Инвентаризация: 501
