Инвентаризация:2001

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 104A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 74A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 454W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.63V @ 37mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 337 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6313 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

Top